pmos工作原理图_pmos工作原理

时间:2023-03-22 17:08:34来源 : 科学教育网


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1、PMOS的工作原理与NMOS相类似。

2、因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层,不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响,衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

3、当达到强反型时,在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端,形成从源到漏的源漏电流。

4、同样地,VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。

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